. . "BSI CMOS"@cs . . . . . . . . . . "BSI CMOS"@cs . . . . . . . . . "zp\u011Btn\u00FDm osv\u011Btlen\u00EDm"@cs . . . . "15016617"^^ . . . . "32"^^ . . . "CMOS sn\u00EDma\u010D se zp\u011Btn\u00FDm osv\u011Btlen\u00EDm, zkr\u00E1cen\u011B BSI CMOS (z ang. BackSide-Illumination). Jde o technologii upravuj\u00EDc\u00ED st\u00E1vaj\u00EDc\u00ED zp\u016Fsob v\u00FDroby fotocitliv\u00FDch CMOS \u010Dip\u016F. Ve standardn\u00EDch CMOS \u010Dipech je toti\u017E fotocitliv\u00E1 vrstva ulo\u017Eena a\u017E za tranzistory a kovov\u00FDmi obvody. To zp\u016Fsobuje, \u017Ee na fotocitlivou vrstvu dopad\u00E1 m\u00E9n\u011B sv\u011Btla, co\u017E zap\u0159\u00ED\u010Dinilo jejich vytla\u010Den\u00ED CCD \u010Dipy."@cs . "825822"^^ . . . . . . "CMOS sn\u00EDma\u010D se zp\u011Btn\u00FDm osv\u011Btlen\u00EDm, zkr\u00E1cen\u011B BSI CMOS (z ang. BackSide-Illumination). Jde o technologii upravuj\u00EDc\u00ED st\u00E1vaj\u00EDc\u00ED zp\u016Fsob v\u00FDroby fotocitliv\u00FDch CMOS \u010Dip\u016F. Ve standardn\u00EDch CMOS \u010Dipech je toti\u017E fotocitliv\u00E1 vrstva ulo\u017Eena a\u017E za tranzistory a kovov\u00FDmi obvody. To zp\u016Fsobuje, \u017Ee na fotocitlivou vrstvu dopad\u00E1 m\u00E9n\u011B sv\u011Btla, co\u017E zap\u0159\u00ED\u010Dinilo jejich vytla\u010Den\u00ED CCD \u010Dipy."@cs . . . . "1954"^^ . . . .