. . "CMOS"@cs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "CMOS (anglicky Complementary Metal\u2013Oxide\u2013Semiconductor) je zp\u016Fsob vytv\u00E1\u0159en\u00ED logick\u00FDch \u010Dlen\u016F vynalezen\u00FD v 60. letech 20."@cs . . . "72"^^ . . . . . . . . "complementary metal oxide semiconductor"@cs . . . . . . "CMOS"@cs . . "CMOS \u010Dip"@cs . . . "16103459"^^ . . "CMOS (anglicky Complementary Metal\u2013Oxide\u2013Semiconductor) je zp\u016Fsob vytv\u00E1\u0159en\u00ED logick\u00FDch \u010Dlen\u016F vynalezen\u00FD v 60. letech 20. stolet\u00ED a z\u00E1rove\u0148 technologie, kterou se po roce 1985 vyr\u00E1b\u00ED naprost\u00E1 v\u011Bt\u0161ina logick\u00FDch integrovan\u00FDch obvod\u016F, v\u010Detn\u011B mikroprocesor\u016F, jedno\u010Dipov\u00FDch po\u010D\u00EDta\u010D\u016F a elektronick\u00FDch pam\u011Bt\u00ED, ale tak\u00E9 analogov\u00FDch obvod\u016F, jako jsou sn\u00EDma\u010De obrazu, datov\u00E9 konvertory, zesilova\u010De a transceivery pou\u017E\u00EDvan\u00E9 v telekomunikac\u00EDch.Nejd\u016Fle\u017Eit\u011Bj\u0161\u00EDmi vlastnostmi obvod\u016F CMOS je n\u00EDzk\u00E1 spot\u0159eba a vysok\u00E1 odolnost proti \u0161umu. Z ka\u017Ed\u00E9ho p\u00E1ru tranzistor\u016F MOSFET, z nich\u017E je slo\u017Eeno hradlo, je v\u017Edy jeden v nevodiv\u00E9m stavu, proto maj\u00ED obvody CMOS ve statick\u00E9m stavu mnohem ni\u017E\u0161\u00ED spot\u0159ebu energie ne\u017E obvody NMOS nebo TTL a produkuj\u00ED mnohem m\u00E9n\u011B odpadn\u00EDho tepla; v\u00EDce energie se spot\u0159ebov\u00E1v\u00E1 pouze p\u0159i p\u0159ep\u00EDn\u00E1n\u00ED mezi zapnut\u00FDm a vypnut\u00FDm stavem tranzistor\u016F. Velmi jednoduch\u00E1 struktura logick\u00FDch \u010Dlen\u016F a absence rezistor\u016F umo\u017E\u0148uje dosa\u017Een\u00ED vysok\u00E9 hustoty prvk\u016F na \u010Dipu. Hlavn\u00ED nev\u00FDhodu \u2013 n\u00EDzkou rychlost prvn\u00EDch \u0159ad obvod\u016F CMOS \u2013 se poda\u0159ilo odstranit d\u00EDky miniaturizaci a vylep\u0161en\u00E9 technologii v\u00FDroby.V\u00FDraz komplement\u00E1rn\u00ED (complementary nebo n\u011Bkdy complementary-symetric) vyjad\u0159uje, \u017Ee logick\u00E9 \u010Dleny jsou vytv\u00E1\u0159eny dvojicemi dopl\u0148uj\u00EDc\u00EDch se tranzistor\u016Fm MOSFET typu n a p. Zbytek zkratky \u201Emetal-oxid-semiconductor\u201C odkazuje na zp\u016Fsob realizace \u0159\u00EDdic\u00ED elektrody tvo\u0159en\u00E9 u prvn\u00EDch obvod\u016F hlin\u00EDkem odizolovan\u00E9m tenkou vrstvou oxidu k\u0159emi\u010Dit\u00E9ho od vodiv\u00E9ho kan\u00E1lu z polovodi\u010De. Zkratky MOS a CMOS se pou\u017E\u00EDvaly, i kdy\u017E se dlouhou dobu \u2013 a\u017E do 65nm technologie \u2013 pou\u017E\u00EDval na \u0159\u00EDdic\u00ED elektrody jin\u00FD materi\u00E1l, polykrystalick\u00FD k\u0159em\u00EDk. Po roce 2010 od technologie 45nm se podle ozn\u00E1men\u00ED firem IBM a Intel kovov\u00E9 elektrody s high-k dielektriky op\u011Bt pou\u017E\u00EDvaj\u00ED."@cs . . . . . . . "6214"^^ . . . . . . . . . "pam\u011Bt\u00ED nastaven\u00ED"@cs . . . . . . "214051"^^ . . . . . . . . . . . . . . . . . .