PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P.Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008.Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření inverzní vrstvy (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení děr k elektrodě G.

PropertyValue
prop-cs:wikiPageUsesTemplate
dbpedia-owl:abstract
  • PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P.Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008.Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření inverzní vrstvy (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení děr k elektrodě G. Vzniklá vrstva nazývaná p-kanál, může vést díry mezi elektrodami „source“ a „drain“ typu P.Tranzistory PMOS mají jako jiné tranzistory MOSFET čtyři režimy činnosti: závěrný (anglicky cut-off, subthreshold), triodový (lineární), režim saturace (někdy nazývaný aktivní) a saturace rychlosti nosičů (anglicky velocity saturation).
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 1051821 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 4117 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 28 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 13471435 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
dbpedia-owl:wikiPageWikiLinkText
  • Technologie výroby
  • PMOS
dcterms:subject
rdfs:comment
  • PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P.Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008.Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření inverzní vrstvy (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení děr k elektrodě G.
rdfs:label
  • PMOS
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of